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光譜儀硅鋰漂移探測器
發(fā)布時間：2020-07-24 09:41:34 點擊：4973
光譜儀硅鋰漂移探測器是在P型硅表面蒸發(fā)一層金屬鋰并擴散形成PN結，然后在反向電壓和適當溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中，由于鋰離子很容易吸引一個自由電子而成為施主，從而與硅中的P型（受主）雜質實現(xiàn)補償而形成高阻的本征層(探測器的靈敏區(qū))。
光譜儀硅鋰漂移探測器
硅(鋰)探測器的特點是靈敏層厚度可以做得相當大（3-10毫米），因而探測器電容也比較小，探測效率高，但是必須在液氮冷卻下保存（因為在室溫下鋰離子的遷移能力已經不能忽略了，而鋰離子的遷移會破壞在制備硅(鋰)探測器時達到的精密補償。這是硅(鋰)探測器保存時候也需要在液氮溫度的根本原因。當然還有其它原因）和工作，一般說來其能量分辨、高計數(shù)率性能、使用方便性、體積和價格等性能都不如硅漂移探測器。
請注意：硅鋰漂移探測器和硅漂移探測器是兩種不同的探測器，硅鋰漂移探測器是因為在制造過程中采用了鋰離子漂移補償?shù)姆椒ǘ妹杵铺綔y器則是射線產生的載流子（電子-空穴對）中的電子先必須漂移到陽極區(qū)以后才能形成可以測量的電信號（硅漂移探測器中空穴對電信號沒有貢獻）而得名。
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